삼성 10나노 D램 세계 최초 양산체제 구축

반도체 역사의 두 번째 획을 긋는 순간이다. 첫 번째 획을 그었던 것은 20나노 벽을 넘어선 때이다. 2009년 7월 40나노급 D램을 양산할 때만 해도 10나노급 시대는 올 수 없다고 여겨왔었다. 2011년 9월 20나노급 양산에 성공했지만 그 이후로 큰 발전이 없었다. 10나노급이 양산되기 까지 4년 5개월이 걸렸다. 

18나노 D램 양산으로 삼성전자와 경쟁 업체들 간 메모리 반도체 기술 격차는 2년으로 벌어졌다. 반도체 업계는 10나노로 시장이 재편되는데는 최소 반 년 이상 시간이 걸릴것으로 보고 있다. 삼성전자가 2014년 20나노는 개발했는데, 이제 업계가 20나노로 완전히 재편하고 있다는 분석이다. 새로 양산하기 시작한 18나노 기술은 점차 확대할 전망이다. 

삼성의 독자적인 기술 3가지

삼성이 10나노 D램을 만들 수 있었던 것은 3 가지의 독자적인 기술 때문이다. 

1) 사중 포토 노광 기술(Quadruple Paterning Technique)이다. 삼성전자는 단 한번의 포토 공정만으로 초미세 패턴을 네 배 많이 형성하는 기술을 개발했다.

2) 초균일 유전막 형성 기술이다. 과거에 수박만 한 두께로 벽을 쌓았다면 이번에는 골프공 크기만 한 두께로 확 줄이면서 균일한 막을 만들어냈다. 높은 속도에서도 안정적으로 작동하도록 설계한 셈이다.

3) 초고집적 설계 기술이다. 10나도 D램에선 하나의 웨이퍼에서 이전 제품보다 30% 이상 많은 1000개 이상의 칩을 뽑아낼 수 있다. 같은 원재료에서 생산성이 30% 증가한 것이다. 20나노 D램보다 속도는 30% 이상 빠르면서 소비전력은 20% 절감했다.